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三星Galaxy S6包装下一个Gen UFS内存

时间:2021-05-22 10:26:04 来源:

韩国报纸etnews已经突出了一份报告,引用了三星内幕人士,他声称该公司将在即将到来的Galaxy S6中使用下一代NAND闪存存储。有问题的存储技术称为UFS 2.0,它代表通用闪存存储。

UFS可以达到类似SSD的传输速度,但与EMMC内存芯片等产品很便宜。实际上,它比EMMC存储器快三倍,转移速度高达1.2GB / s。功耗低于EMMC存储,赢得了电池耗尽或过热的导致电池。消息人士说,最近的UFS 2.0技术开发已导致EMMC 5.0的功耗的一半。

该标准由三星,诺基亚和Micron联合电子设备工程委员会(JEDEC)倡议于2007年制定。TOSHIBA和SK Hynix也参与了UFS 2.0内存的开发。预计三星将在未来几周内启动批量生产新的NAND闪存存储。

然而,三星不是独自这样做。据报道,Xiaomi在即将到来的产品中也使用UFS 2.0 NAND内存。三星非常意识到中国竞争对手的进步。公司现在是三星和苹果的第三位,虽然据报道,据据报道,Lenovo终于正式获得摩托罗拉,但据据据报道,据据报道,据据报道,苹果公司的市场份额。

除了智能手机之外,三星也将慢慢取代其与UFS技术的SD和MicroSD卡。其中的第一个很可能是银河系S6,然后是银河系4。

“UFS是明年智能手机业务的重要因素。我们将在旗舰智能手机上启动居中的应用,“三星股内的来源。“但是,我们无法披露任何细节,因为明年新智能手机发布的时间并没有完成了这种新模型的规格。”


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